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第四百三十一章:3D堆叠

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p; 之前按照计划,如果开阳半导体还不能在短时间之内突破0.5微米制程技术,公司会直接采用3D堆叠技术来提升处理器性能。

    在2000年之前,微处理器的晶体管数量还没有达到一定量级,所谓发热问题都还不算太显著,再加上RISC指令集的处理器在功耗与发热方面控制都还比较好,只要不是堆叠层数太多,大不了再提前弄出CPU风扇、水冷这种东西,其实也都还可以跟微处理器更新换代速度。

    不过嘛,随着林本坚加入开阳半导体,带领团队迅速攻克0.5微米制程的工艺问题,于是在开阳915处理器项目中,最终还是没有打算那么早采用3D堆叠,选择传统方案,控制风险。

    此前开发的相应技术转为备用,并且还继续投资进行完善,以备不时之需,万一哪天的工艺制程技术被卡住,说不定还可以拿这技术出来救火。

    采用3D堆叠技术研制微处理器,未来会受到不同堆叠层之间间距太小所导致的散热难问题困扰,但如果将其用于存储设备,最难解决的散热问题便不会存在,基于内存设备工作性质来说,它压根儿是不会出现高发热的可能。

    在2011年,那时候的全球各大内存设备公司纷纷转战3D堆叠技术,迅速推出各种堆叠层数高达三十多四十层的内存芯片出来,在占用同等面积大小情况下,可以十倍于传统的DDR3的内存容量、读写速度。

    汪正国重生前,运用3D堆叠技术所制造的3D NAND内存芯片已经面世,并迅速更新迭代,完全有望直接革掉NAND/DRAM的命。

    至于他今天为什么要把这种好东西公布出来,这倒是没什么好说,开阳半导体好歹已经把该申请的专利拿到手,此时公布这条技术路线,摆明是要整个行业动荡起来,扰乱目前已经稳定的技术发展路线,从而浑水摸鱼。

    反正3D堆叠技术一旦申请专利,就会有公示期,那些顶级科技公司,哪个不是时刻关注着各国专利局的动向,什么新技术一出来,人家都会很快知道。

    “就我看来,3D堆叠技术在未来是大有可为,它是21世纪来临之际,解决摩尔定律失效的最好方案,科学技术发展过程中,从2D转到更高层次的3D世界,这个过程是必不可少。”

    主题演讲历时一小时15分钟,全程高能五尿点,各种爆料不断,可谓近几年最高品质主题演讲,ISSCC大会已经很久没有这种感觉了,此行不亏!

    随着台上宣布演讲结束,倪光南转身往台下离去,现场也不知道是谁先带头鼓掌,不到两秒时间,雷鸣般的掌声响彻全场,就连原本满是不屑的日本科研人员也得服气,这演讲确实很有水准。

    前排的IBM公司几位大佬互相看看,他们心里滋味确实不好形容,原本是准备来个“借刀杀人,过河拆桥“连环计,但现在看来,似乎这桥的质量太好,他们拆不掉。

    “很有趣,开阳半导体的能力非常不错,怪不得林本坚会到那里去工作,或者这又是下一个英特尔公司,而这位倪光南,作为开阳半导体公司的戈登摩尔,他是一位让人不得不敬佩的智者。”

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